一、內(nèi)存是什么

虛擬內(nèi)存用硬盤空間做內(nèi)存來彌補計算機RAM空間的缺乏。當(dāng)實際RAM滿時（實際上，在RAM滿之前），虛擬內(nèi)存就在硬盤上創(chuàng)建了。當(dāng)物理內(nèi)存用完后，虛擬內(nèi)存管理器選擇最近沒有用過的，低優(yōu)先級的內(nèi)存部分寫到交換文件上。這個過程對應(yīng)用是隱藏的，應(yīng)用把虛擬內(nèi)存和實際內(nèi)存看作是一樣的。 每個運行在WindowsNT下的應(yīng)用被分配到4GB的屬于自己的虛擬地址空間（2GB給應(yīng)用，2GB給操作系統(tǒng)）。 使用虛擬內(nèi)存存在這樣的問題，那就是讀寫硬盤的速度大大慢于讀寫實際RAM的速度。這就是當(dāng)NT系統(tǒng)在沒有足夠的內(nèi)存時程序運行慢的原因。 虛擬內(nèi)存是文件數(shù)據(jù)交叉鏈接的活動文件。是WINDOWS目錄下的一個WIN386.SWP文件，這個文件會不斷地擴大和自動縮小。 就速度方面而言,CPU的L1和L2緩存速度最快，內(nèi)存次之，硬盤再次之。但是虛擬內(nèi)存使用的是硬盤的空間，為什么我們要使用速度最慢的硬盤來做為虛擬內(nèi)存呢？因為電腦中所有運行的程序都需要經(jīng)過內(nèi)存來執(zhí)行，如果執(zhí)行的程序很大或很多，就會導(dǎo)致我們只有可憐的256M/512M內(nèi)存消耗殆盡。而硬盤空間動輒幾十G上百G，為了解決這個問題，Windows中運用了虛擬內(nèi)存技術(shù)，即拿出一部分硬盤空間來充當(dāng)內(nèi)存使用... 手動設(shè)置虛擬內(nèi)存 在默認(rèn)狀態(tài)下，是讓系統(tǒng)管理虛擬內(nèi)存的，但是系統(tǒng)默認(rèn)設(shè)置的管理方式通常比較保守，在自動調(diào)節(jié)時會造成頁面文件不連續(xù)，而降低讀寫效率，工作效率就顯得不高，于是經(jīng)常會出現(xiàn)“內(nèi)存不足”這樣的提示，下面就讓我們自已動手來設(shè)置它吧。 ①用右鍵點擊桌面上的“我的電腦”圖標(biāo)，在出現(xiàn)的右鍵菜單中選“屬性”選項打開“系統(tǒng)屬性”窗口。在窗口中點擊“高級”選項卡，出現(xiàn)高級設(shè)置的對話框 ②點擊“性能”區(qū)域的“設(shè)置”按鈕，在出現(xiàn)的“性能選項”窗口中選擇“高級”選項卡，打開其對話框。 ③在該對話框中可看到關(guān)于虛擬內(nèi)存的區(qū)域，點擊“更改”按鈕進入“虛擬內(nèi)存”的設(shè)置窗口。選擇一個有較大空閑容量的分區(qū)，勾選“自定義大小”前的復(fù)選框，將具體數(shù)值填入“初始大小”、“最大值”欄中，而后依次點擊“設(shè)置→確定”按鈕即可，最后重新啟動計算機使虛擬內(nèi)存設(shè)置生效。

內(nèi)存是什么不好說

二、RAM容量是什么意思？

RAM的容量是指隨機存儲器的容量，即你的內(nèi)存容量，至于你說“C盤（系統(tǒng)盤）容量14.6G。D盤是56.8G”

這是硬盤的容量，目前主流的內(nèi)存容量為1~2G，要看你的電腦的內(nèi)存容量，只需右鍵單擊“我的電腦”選擇屬性，在底部可以看到

三、我的電腦屬性里面寫著240內(nèi)存，怎么有人說是256內(nèi)存呢？誰能解釋一下什么意思呀？

你用的主板是集成顯卡的，因為顯卡需要顯存所以在物理內(nèi)存中分配了16M給了顯卡，這很正常，一般主板集成的顯卡占用物理內(nèi)存是8的倍數(shù)。

四、簡述計算機內(nèi)存的分類及各自特點？

按內(nèi)存條的接口形式，常見內(nèi)存條有兩種：單列直插內(nèi)存條（SIMM），和雙列直插內(nèi)存條（DIMM）。SIMM內(nèi)存條分為30線，72線兩種。DIMM內(nèi)存條與SIMM內(nèi)存條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用，不同容量可混合使用，SIMM必須成對使用。

按內(nèi)存的工作方式，內(nèi)存又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步動態(tài)RAM）等形式。

FPA（FAST PAGE MODE）RAM 快速頁面模式隨機存取存儲器：這是較早的電腦系統(tǒng)普通使用的內(nèi)存，它每個三個時鐘脈沖周期傳送一次數(shù)據(jù)。

EDO（EXTENDED DATA OUT）RAM 擴展數(shù)據(jù)輸出隨機存取存儲器：EDO內(nèi)存取消了主板與內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，他每個兩個時鐘脈沖周期輸出一次數(shù)據(jù)，大大地縮短了存取時間，是存儲速度提高30%。EDO一般是72腳，EDO內(nèi)存已經(jīng)被SDRAM所取代。

S（SYSNECRONOUS）DRAM 同步動態(tài)隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內(nèi)存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數(shù)據(jù)，速度比EDO內(nèi)存提高50%。

DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM ：SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，他允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

RDRAM（RAMBUS DRAM） 存儲器總線式動態(tài)隨機存取存儲器；RDRAM是RAMBUS公司開發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬，芯片到芯片接口設(shè)計的新型DRAM，他能在很高的頻率范圍內(nèi)通過一個簡單的總線傳輸數(shù)據(jù)。他同時使用低電壓信號，在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。INTEL將在其820芯片組產(chǎn)品中加入對RDRAM的支持。 由于這種內(nèi)存的價格太過昂貴，在pc機上已經(jīng)見不到他的蹤影。

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。 此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎(chǔ)?；叵肫餌DR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。

ddr3 內(nèi)存從技術(shù)上來講，ddr3內(nèi)存是對ddr2 內(nèi)存的改進，從ddr2 內(nèi)存的4 位預(yù)讀提高為8 位預(yù)讀，因此在同等頻率下的數(shù)據(jù)傳輸能力要比ddr2 內(nèi)存高兩倍。要點 據(jù)預(yù)測，英特爾將在2007 年下半年正式轉(zhuǎn)向ddr iii 內(nèi)存，這種內(nèi)存將在2009 年第一季度取代ddr ii 而正式成為主流。ecc 是一種具有自動糾錯功能的內(nèi)存，價格要比普通內(nèi)存要貴，一般多應(yīng)用在服務(wù)器及圖形工作站上，比較安全穩(wěn)定。